李耀东

作品数：3被引量：26H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：硅片化学机械抛光超大规模集成电路300MM硅片表面形貌更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
大尺寸硅片边缘抛光技术被引量：1
《半导体技术》2016年第11期831-835,共5页李耀东 库黎明 刘斌 王新 郑琪 刘红艳 
国家科技重大专项(2010ZX02302-001)
重掺衬底硅片在经历高温外延加工过程中,硅片边缘的损伤会在硅片的外延层上形成位错缺陷。对边缘初始状态一致的直径为200 mm硅单晶片进行酸腐蚀、机械抛光、化学机械抛光及机械抛光加化学机械抛光等不同条件下的边缘抛光实验,使用显微...
关键词：硅片 边缘损伤 机械抛光 化学机械抛光(CMP) 外延加工 
300mm硅片化学机械抛光技术分析被引量：18
《半导体技术》2006年第8期561-564,共4页闫志瑞 鲁进军 李耀东 王继 林霖 
国家863资助项目(2004AA3Z1140)
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点...
关键词：化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光 
双面抛光工艺中压力对300mm硅片表面形貌的影响被引量：8
《稀有金属》2006年第2期134-137,共4页库黎明 李耀东 周旗钢 王敬 
国家"863"十五重大专项项目支持(2002AA3Z1110)
利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化,并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明,双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同,从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间...
关键词：硅片 双面抛光 非接触式光学轮廓仪 表面形貌 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部