300mm硅片化学机械抛光技术分析  

Technology Analysis of 300mm Wafer CMP

作　　者：闫志瑞[1] 鲁进军[1] 李耀东[1] 王继[1] 林霖[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京100088

出　　处：《半导体技术》2006年第8期561-564,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家863资助项目(2004AA3Z1140)

摘　　要：化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。Chemical mechanical polishing（CMP） is one of core technologies in silicon substrate and IC fabrication. However, the traditional CMP technology has some disadvantages and limitations. For more better flatness and surface of silicon wafer, double side polishing （DSP） was used in 300mm silicon wafer manufacture. The advantages of DSP and the influence of system variables on the remove rate and quality were analyzed.

关 键 词：化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]