卢立延

作品数：1被引量：9H指数：1
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发文主题：硅片硅抛光片氧浓度数值模拟直拉硅单晶更多>>
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CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
《稀有金属》2011年第6期909-915,共7页常麟 周旗钢 戴小林 鲁进军 卢立延 
国家科技重大专项(2008ZX02401)项目资助
利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大...
关键词：直拉硅单晶 CUSP磁场 氧浓度 有限元分析 数值模拟 
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