半导体硅片清洗工艺发展方向  

Developing Trend of Wafer Clean Process

作　　者：闫志瑞[1] 

机构地区：[1]有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京100088

出　　处：《电子工业专用设备》2004年第9期23-26,共4页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,同时在此基础上,对新的清洗办法(改进的RCA清洗办法)进行了一定的说明,指出了硅片清洗工艺的发展方向。The text main discuss the principle?characteristic?shortcoming of RCA clean,The effect of clean to the wafer surface. At the same time ,Discussing the new clean way (impoved RCA clean)

关 键 词：硅片 RCA清洗 硅片清洗 硅片表面 

分 类 号：TN305.97[电子电信—物理电子学]