中子辐照剂量对直拉硅中VO退火行为的影响  

The Influence of Neutron Dose on the Annealing of VO in Czochralski Silicon

作　　者：杨帅[1,2] 邓晓冉[3] 徐建萍[1,2] 陈贵锋[4] 张辉[4] 

机构地区：[1]天津理工大学理学院,天津300384 [2]天津理工大学材料科学与工程学院,天津300384 [3]天津职业技术师范大学理学院,天津300222 [4]河北工业大学材料科学与工程学院,天津300131

出　　处：《硅酸盐通报》2013年第2期352-355,共4页Bulletin of the Chinese Ceramic Society

基　　金：国家自然科学基金(50872028;10904109);河北省教育厅科研计划(2009318)资助项目

摘　　要：本文通过红外吸收光谱技术研究了不同剂量快中子辐照直拉硅中空位氧缺陷(A中心)的退火行为。实验发现,经200℃热处理后样品中均会出现V2O(840 cm-1)和VO2.(919.6 cm-1)的红外吸收峰;当退火温度升高到400至450℃之间,在低剂量辐照样品(SL)的红外吸收光谱中会有较强的VO2(889 cm-1)的吸收峰,而在高剂量辐照样品(SH)中则会有较强的V2O2(825 cm-1)和VO2.(919.6 cm-1)的吸收峰。分析认为,在低剂量辐照样品中VO主要是通过与Oi结合形成稳定的VO2而消失;而在高剂量辐照条件下VO则是通过相互结合形成V2O2或与Oi结合形成VO2.而消失。The different annealing behaviors of VO （A-center） in varied dose fast neutron irradiated Czochralski silicon was studied by Infrared Spectrum. Two infrared absorption bands at 840 cm^-1 （ V2O） and 919.6 cm^-1 （ VO2） will rise after annealed at 200℃ in all samples. And after annealed at 400 ℃ to 450℃, the main absorption band is 889 cm^-1 （ VO2 ） in SL sample, at the same time they are 825 em-t （V2O2） and 919.6 cm^-1 （VO2） in SH sample, it can be concluded that the annealing of A-center in low dose irradiated sample （SL） is due to VO combining with interstitial oxygen （Oi） to form V02, and in high dose irradiated sample （SH） is due to VO combining with other VO or Oi to form V202 or V02, respectively.

关 键 词：直拉硅 中子辐照 缺陷 A中心 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]