刘文宝

作品数：5被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAN氮化镓氮化物探测器紫外探测器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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高阻氮化镓外延层的异常光吸收
《物理学报》2010年第11期8048-8051,共4页刘文宝 赵德刚 江德生 刘宗顺 朱建军 张书明 杨辉 
国家自然科学基金(批准号:60776047,60506001,60476021,60576003,60836003)资助的课题~~
通过光伏谱(PV)的测量发现,采用MOCVD方法生长的非故意掺杂GaN外延膜,电阻较大的样品在带隙内有明显的异常光吸收.吸收峰的能量位置表明这种异常吸收可能与激子有关.在这些高阻样品上制作的MSM型探测器,当入射光照射不同位置,其光谱响...
关键词：GAN 激子 光伏谱 光谱响应 
穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响被引量：1
《物理学报》2009年第11期7952-7957,共6页张爽 赵德刚 刘宗顺 朱建军 张书明 王玉田 段俐宏 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金(批准号:60776047;60506001;60476021;60576003;60836003)资助的课题~~
研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN/n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-...
关键词：GAN 紫外探测器 V形坑 反向漏电 
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第4期592-596,共5页刘宗顺 赵德刚 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉 
制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm...
关键词：肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态 
GaN基金属-半导体-金属探测器
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期588-590,共3页刘文宝 孙苋 王小兰 张爽 刘宗顺 赵德刚 杨辉 
采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射...
关键词：GAN MSM探测器 暗电流 光谱响应 陷阱模型 
InN的光学性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在...
关键词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 
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