InN的光学性质  

Optical Properties of InN

作　　者：孙苋[1] 王辉[1] 王莉莉[1] 刘文宝[1] 江德生[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)

摘　　要：对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.

关 键 词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]