王辉

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：MOCVD半导体激光器碳化硅INGAN衬底更多>>
发文领域：电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊：《科学通报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
《科学通报》2011年第2期174-178,共5页唐龙娟 郑新和 张东炎 董建荣 王辉 杨辉 
国家重点基础研究发展计划(2007CB936701);苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以...
关键词：纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率 
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期257-259,共3页王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射...
关键词：INGAN X射线衍射 光致发光 
InN的光学性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在...
关键词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 
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