张东炎

作品数：6被引量：16H指数：2
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：有源太阳能电池导电类型超晶格结构异质结太阳能电池更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《电子元件与材料》《科学通报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：乌鲁木齐市科技攻关项目乌鲁木齐市科技创新种子资金国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
《科学通报》2011年第2期174-178,共5页唐龙娟 郑新和 张东炎 董建荣 王辉 杨辉 
国家重点基础研究发展计划(2007CB936701);苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以...
关键词：纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结 太阳能电池 外量子效率 
MnNiCuFe系材料的聚合络合法制备及微波烧结被引量：2
《电子元件与材料》2009年第8期30-34,共5页靳先静 常爱民 张惠敏 张东炎 
乌鲁木齐市科技攻关项目(No.G06211002);乌鲁木齐市种子基金资助项目(No.K08141001)
为了得到低B值(2100K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 NTC热敏材料的前驱体,在500℃进行热分解后获得氧化物,经不同温度微波煅烧,确定最佳温度后成型,分别进行微波烧结与常规烧结...
关键词：聚合络合法 微波煅烧 微波烧结 Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 热敏材料 
Co_(0.8)Mn_(0.8)Ni_(0.9)Fe_(0.5)O_4纳米粉体的制备及热敏特性研究被引量：7
《无机材料学报》2009年第5期1008-1012,共5页张东炎 张惠敏 靳先静 常爱民 
乌鲁木齐市科技攻关项目(G06211002);乌鲁木齐市种子基金(K08141001)
采用共沉淀法,以NH4HCO3为沉淀剂制备了Co0.8Mn0.8Ni0.9Fe0.5O4负温度系数(NTC)热敏电阻纳米粉体材料,研究了不同预烧温度对材料相结构的影响,探讨了不同烧结工艺对NTC热敏电阻材料微观结构和热敏性能的影响.采用X射线衍射(XRD)、综合...
关键词：NTC热敏电阻 纳米粉体 共沉淀法 电阻率 
Mn_(0.43)Ni_(0.9)CuFe_(0.67)O_4 NTC热敏材料的Pechini法制备及微波烧结特性研究被引量：2
《无机材料学报》2009年第5期1013-1018,共6页靳先静 常爱民 张惠敏 张东炎 
乌鲁木齐市科技攻关项目(G06211002);乌鲁木齐市种子基金(K08141001)
为制备材料常数(B值)1900K左右宽温区NTC热敏电阻,将Pechini方法制备的Mn0.43Ni0.9CuFe0.67O4粉体置于2.45GHz多模腔微波炉中,经不同温度下微波煅烧压制成型后,于1000℃下微波烧结.采用红外(FT-IR),X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),粒度...
关键词：微波烧结 微波煅烧 NTC Pechini法 
高介电栅介质材料HfO_2掺杂后的物理电学特性(英文)被引量：1
《功能材料与器件学报》2009年第1期71-74,共4页武德起 姚金城 赵红生 张东炎 常爱民 李锋 周阳 
National Natural Science Foundation of China(No.50372083);the Knowledge Innovation Program of the Chinese A-cademy of Sciences(No.072C201301);the graduate student innovation program of the Chinese academy of sciences
采用激光分子束外延法(LMBE)在p型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)y(NiO)1-x-y栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力。X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度。原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄...
关键词：高介电栅介质材料 激光分子束外延 二氧化铪 
高介电栅介质材料研究进展被引量：6
《无机材料学报》2008年第5期865-871,共7页武德起 赵红生 姚金城 张东炎 常爱民 
国家自然科学基金(50372083);中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(072C201301)
传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介...
关键词：高介电栅介质 晶化温度 低介电界面层 金属栅电极 
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