云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 唐龙娟

唐龙娟: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文主题：淀积台面刻蚀纳米阵列太阳能电池氮化物更多>>; 发文领域：电子电信电气工程化学工程更多>>; 发文期刊：《科学通报》更多>>; 所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>

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含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作: 《科学通报》2011年第2期174-178,共5页唐龙娟郑新和张东炎董建荣王辉杨辉; 国家重点基础研究发展计划(2007CB936701);苏州高效太阳能电池技术重点实验室(ZXJ0903)资助项目; 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以...; 关键词：纳米阵列结构 InGaN/GaN双异质结太阳能电池外量子效率