生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响  

Influence of Temperature on MOCVD Growth of InGaN

作　　者：王莉莉[1] 王辉[1] 孙苋[1] 王海[1] 朱建军[1] 杨辉[1] 梁骏吾[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期257-259,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)

摘　　要：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射(XRD)联动扫描的结果显示即使在In组分增大至0.57时也没有发现相分离现象,光致发光(PL)谱测量的结果表明InGaN薄膜的PL峰位随着In组分升高而向低能方向移动,半高宽随着In组分增加而增加.

关 键 词：INGAN X射线衍射 光致发光 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]