孙苋

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：氮化镓氮化物MOCVDINGAN肖特基更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期257-259,共3页王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射...
关键词：INGAN X射线衍射 光致发光 
GaN基金属-半导体-金属探测器
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期588-590,共3页刘文宝 孙苋 王小兰 张爽 刘宗顺 赵德刚 杨辉 
采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射...
关键词：GAN MSM探测器 暗电流 光谱响应 陷阱模型 
InN的光学性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在...
关键词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 
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