GaN基金属-半导体-金属探测器  

Characteristics of Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors Based On GaN

作　　者：刘文宝[1] 孙苋[1] 王小兰[1] 张爽[1] 刘宗顺[1] 赵德刚[1] 杨辉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期588-590,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射后能够恢复.光谱响应测量中发现带隙内368nm处有光电导性质的异常峰值响应,808nm的激光对其有明显的淬灭作用,并根据陷阱模型对这些现象做出了解释.

关 键 词：GAN MSM探测器 暗电流 光谱响应 陷阱模型 

分 类 号：TN364[电子电信—物理电子学]