王小兰

作品数：1被引量：0H指数：0
导出分析报告
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD生长AL组分GAN暗电流光谱响应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN基金属-半导体-金属探测器
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期588-590,共3页刘文宝 孙苋 王小兰 张爽 刘宗顺 赵德刚 杨辉 
采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压下老化以后暗电流减小,小电压下出现电流反向,经白光照射...
关键词：GAN MSM探测器 暗电流 光谱响应 陷阱模型 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部