王莉莉

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MOCVD生长温度光致发光INGANX射线衍射更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
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铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性
《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2008年第3期181-184,共4页郑大宇 孙元平 王莉莉 张书明 杨辉 
山东省优秀中青年科学家奖励基金资助项目(2006BS01240)
利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐...
关键词：铟镓氮(InGaN) 光致发光 半高宽度 激活能 
Optical and Electrical Properties of GaN:Mg Grown by MOCVD
《Journal of Semiconductors》2008年第1期29-32,共4页王莉莉 张书明 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003,60476021)~~
Mg-doped GaN layers prepared by metalorganic chemical vapor deposition were annealed at temperatures between 550 and 950℃. Room temperature （RT） Hall and photoluminescence （PL） spectroscopy measurements were perf...
关键词：Hall effect PHOTOLUMINESCENCE P-GAN 
生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期257-259,共3页王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN/蓝宝石复合衬底上生长了InGaN薄膜,并研究了生长温度对InGaN薄膜的In组分、结晶品质和发光特性的影响.实验中发现随着生长温度的降低,InGaN薄膜中的In组分提高,但结晶品质显著下降.X射线衍射...
关键词：INGAN X射线衍射 光致发光 
InN的光学性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在...
关键词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 
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