存储器

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基于准二维钙钛矿(GA)(MA)_(5)Pb_5I_(16)的阻变存储器光电性能研究
《河北师范大学学报(自然科学版)》2025年第3期270-275,共6页王文文 孟婕 韩金宝 尚子璇 吕梦溪 张倩茹 陈贞诺 尹鑫燃 赵晋津 
国家自然科学基金(U2130128);河北省自然科学基金-燕赵青年科学家专项(B2023205040);京津冀基础研究合作专项(H2022205047,22JCZXJC00060,E3B33911DF);河北省市场监管局科技计划(2023ZC03);河北省创新能力提升计划(22567604H);河北师范大学博士科研启动基金(L2023B18,L2024B12);大学生创新创业训练计划立项项目(S202410094046)。
以准二维(2D)钙钛矿(GA)(MA)_(5)Pb_(5)I_(16)(GA=胍,MA=甲胺)为阻变介质材料,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和氧化石墨烯(GO)为插层,制备了Ag/PMMA/(GA)(MA)_(5)Pb_(5)I_(16)/GO/ITO(ITO=锡掺杂氧化铟)阻变存储器.研究结果表明,加入PMMA和GO...
关键词:准二维钙钛矿 阻变存储器 界面调控 光电调控 开关比 
一种基于SW831的高速存储数据管理方法
《电子与封装》2025年第4期72-76,共5页黄辉 吴晓庆 
随着信息技术的发展,数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求,设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道(NVME)的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据,为了保证数据不丢失,FPGA先将数据缓存到内存,由于缓存空间...
关键词:存储系统 SW831 FPGA 无容错的条带化磁盘阵列 非易失性存储器快速通道 链表 
耗尽型GaN非易失性存储器的研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期12-15,共4页邵国键 陈韬 周书同 李信 
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模...
关键词:氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽型GaN非易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性 
基于极化波形调控的P(VDF-TrFE)磁电薄膜非易失性存储性能研究
《电力信息与通信技术》2025年第4期1-8,共8页张嘉伟 韩涛 蒙轩 宋宸 秦司晨 Hajjaji Abdelowahed Fouad Belhora 
数据存储作为电力信息系统的关键构成部分,其高可靠性、快速读写以及强大的兼容性尤为重要。基于多铁性磁电材料自旋电子学特性的非易失性存储器,读写快且存储安全,有望在未来的电力设备中存储设备配置信息与实时数据缓存。然而,利用直...
关键词:非易失性存储器 数据存储 电晕极化法 P(VDF-TrFE)磁电薄膜 
一种对F240系统实现在线编程的方法研究
《机电信息》2025年第7期56-59,63,共5页艾莉 姬进 郭警涛 郭亚利 
提出一种通过RS-232总线对F240系统实现在线编程的方法,解决了早期软件升级时需要将F240仿真器连接至模块内的编程连接器而需要将产品开盖导致的操作不便问题。该方法已在某些航空机载远程接口单元上得到应用,实践结果表明该方法操作方...
关键词:在线编程 DSP FLASH存储器 SRAM存储器 软件升级 
焊缝超声波无损检测技术研究——以长鑫新桥存储器科技项目为例
《房地产导刊》2025年第4期75-77,共3页何菲 
本文以长鑫新桥存储器科技有限公司12英寸存储器晶圆制造基地二期项目为背景,针对建筑钢结构焊缝质量检测的重要性,深入探讨了超声波无损检测技术的应用。首先介绍了工程概况及焊缝在建筑钢结构中的关键作用,随后分析了焊缝常见缺陷及...
关键词:建筑钢结构 焊缝 超声波检测技术 
二硒化钨纳米片基阻变存储器研究
《信息系统工程》2025年第3期135-138,共4页周晓凡 李颖 郭家俊 
在新一代信息存储技术中,阻变存储器(Resistive Randomm Access Memory,RRAM)彰显出无可比拟的优势。二硒化钨(WSe2)作为典型的过渡金属硫属化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDCs),凭借其独特的光电性质受到广泛关注。构建了基...
关键词:阻变存储器 二硒化钨 拉曼光谱 吸收光谱 
应用于航空航天领域的低功耗多节点抗辐射静态随机存取存储器设计
《电子与信息学报》2025年第3期850-858,共9页柏娜 李钢 许耀华 王翊 
安徽高校协同创新项目(GXXT-2022-080,GXXT-2023-015)。
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个...
关键词:单粒子翻转 抗辐射 静态随机存取存储器 
面向高密度磁随机存储器的B2-CoGa(Pt)/L1_(0)-MnAl双层膜中高自旋轨道矩效率被引量:1
《科学通报》2025年第7期920-928,共9页孙宏利 韩荣坤 魏大海 赵建华 
中国科学院战略性先导科技专项(XDB44010100);中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-030)资助;杭州市北京航空航天大学国际创新研究院科研启动经费(2024KQ01)。
Mn基二元合金L1_(0)-MnAl具有垂直磁各向异性强、自旋极化率高和磁阻尼因子低等特点,是研制高密度、高性能和低功耗磁随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)的重要材料体系,而B2-CoGa合金则同时为外延生长在主流半导体GaAs上...
关键词:垂直磁各向异性 自旋轨道矩 Mn基二元合金 磁矩翻转 分子束外延 
“光子雪崩”纳米粒子带来新计算材料
《电子质量》2025年第3期38-38,共1页张梦然 
据报道,美国劳伦斯·伯克利实验室、哥伦比亚大学和西班牙马德里自治大学联合团队在《自然·光子学》杂志上发表了一项突破性成果。他们利用“光子雪崩”纳米粒子开发出一种新型光学计算材料。这一发现为制造纳米级光学存储器和晶体管...
关键词:双稳态 光学存储器 光子雪崩 光学计算材料 
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