陈韬

作品数：11被引量：19H指数：3
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GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第3期277-280,286,共5页邵国键 赵玉峰 王金 周书同 陈韬 景少红 钟世昌 
装备发展部型谱项目(2209WW0002)。
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 辐照效应 总剂量辐照 辐照退化 肖特基势垒 阈值电压 跨导 
栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究
《固体电子学研究与进展》2022年第3期234-238,共5页邵国键 陈正廉 林罡 俞勇 沈杰 陈韬 刘柱 
GaN HEMT器件在使用中会发生突发烧毁的现象,这种失效与缺陷是正相关的,其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。通过直流特性测试、器件热分布、微区分析讨论了栅结构缺陷对器件性能的影响。势垒特性、击穿特性均无法表征出栅结构异常的器件...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 栅结构缺陷 直流特性 转移特性 热分布 微区分析 
失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究
《固体电子学研究与进展》2021年第6期470-473,共4页邵国键 陈正廉 林罡 张茗川 王云燕 刘柱 陈韬 
失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 失配 微光显微镜 红外测试 电致发光 最高结温分布 温升 
帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期466-470,共5页邵国键 林罡 白霖 施尚 周舟 魏星 刘柱 陈韬 
为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 非掺杂帽层 掺杂帽层 直流特性 微波特性 可靠性 
60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期395-400,460,共7页周书同 唐厚鹭 王琪 陈韬 魏星 彭大青 陈堂胜 
基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300...
关键词：GaN功率管 P波段 高功率 高效率 
X波段400 W GaN内匹配功率管被引量：6
《固体电子学研究与进展》2018年第4期235-238,250,共5页唐世军 顾黎明 陈韬 彭劲松 
报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 内匹配功率管 X波段 
C波段400W GaN内匹配功率管研制被引量：6
《电子与封装》2018年第6期42-44,48,共4页徐永刚 顾黎明 汤茗凯 唐世军 陈晓青 刘柱 陈韬 
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 内匹配 功率放大器 C波段 
P波段1500W GaN功率管设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2018年第3期168-172,共5页王琪 王建浩 陈韬 杨建 李相光 周书同 
报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。功率管内部采用预匹配设计,外部电路采用同轴巴伦线和推挽电路来匹配。测试结果表明,在415~485MHz、工作电压50V、工作脉宽300μs,工作比10%的条件下,全带内实现1 500 W输...
关键词：GaN功率管 P波段 高功率 高效率 
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
《固体电子学研究与进展》2017年第3期155-158,共4页陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5...
关键词：氮化镓 微波功率管 场板 
P波段超大功率50V GaN HEMT被引量：3
《固体电子学研究与进展》2016年第6期439-441,共3页陈韬 刘柱 王琪 顾黎明 景少红 杨兴 李忠辉 彭大青 陈堂胜 
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。G...
关键词：氮化镓 微波功率管 场板 
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