王金

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：HEMTGAN_HEMT器件辐照效应减薄跨导更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目更多>>
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GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
《固体电子学研究与进展》2023年第3期277-280,286,共5页邵国键 赵玉峰 王金 周书同 陈韬 景少红 钟世昌 
装备发展部型谱项目(2209WW0002)。
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 辐照效应 总剂量辐照 辐照退化 肖特基势垒 阈值电压 跨导 
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070)
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 外延层减薄 低温合金 欧姆接触 
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