低温合金

作品数：17被引量：9H指数：2
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PbBi_(3)低温合金薄膜的制备和超导性质
《物理学报》2022年第12期322-331,共10页王巨丰 田明阳 杜宏健 马传许 王兵 
国家自然科学基金(批准号:12074359);中国科学院(批准号:XDB36020200)资助的课题。
铋(Bi)和铅(Pb)都是重元素,有很强的自旋-轨道耦合作用,由于原子半径接近,可形成丰富的原子取代合金结构.尽管对高温合金相有了较深入的研究,但对其低温物相的结构和超导物性的认识还很不全面.本文采用低温共沉积和低温退火的方法,在Si(...
关键词：铅铋合金 超导相干长度 邻近效应 零偏压电导峰 
BiSn低温合金耐磨损性能研究
《广东化工》2021年第2期264-264,261,共2页雷锦成 温立哲 黄元盛 李震淇 吴凯东 
广东省高熵合金及其复合材料重点实验室培育(江科[2018]352号);江门市工程技术研究中心项目[江科[2016]161号,江科[2018]359号];江门市基础与应用基础研究重点项目(2020030102850008923,江科[2020]159号)
使用滑动摩擦磨损试验机对Bi Sn低温合金的摩擦磨损性能进行了研究,使用扫描电子显微镜(SEM)对磨损面和磨屑进行了分析。结果表明,试样边缘磨擦划痕深度较大;距离试样边缘范围0.7~1.2 mm的位置,表面磨损得较均匀,表面平整。距离边缘>1.2...
关键词：低温合金 BiSn 耐磨性 
GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用被引量：1
《光学与光电技术》2018年第6期71-77,共7页李祈昕 周泉斌 刘晓艺 王洪 
广东省应用型科技研发专项资金重大项目(2015B010127013;2016B010123004;2017B010112003);广州市产学研协同创新重大专项(201504291502518;201604046021);中山市科技发展专项(2017F2FC0002;2017A1007)资助项目
制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/...
关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管 无金欧姆接触 低温合金 欧姆前刻槽 退火工艺 
“填充式”加工方法在薄壁异形零件中的巧妙应用被引量：3
《金属加工（冷加工）》2016年第2期28-30,共3页张兵胜 刘波 张泽云 
基于异型复杂薄壁零件加工,利用低温合金的熔点与所加工零件的熔点差异较大的原理,从填充材料的选择、零件加工基准的转换和填充方法的设计3个方面,详细说明了"填充式"加工方法的原理和思路。该方法突破了传统加工方法无法解决的难题,...
关键词：传统加工方法 异形零件 填充式 薄壁 应用 利用价值 零件加工 低温合金 
某新型低温材料的复合合金化与超声振动辅助铸造研究
《热加工工艺》2015年第19期100-102,共3页王瑞 赵亚辉 
陕西省教育厅自然科学计划项目(2013JK0619);宝鸡文理学院院级重点项目(ZK10124)
采用复合合金化和超声振动辅助铸造的方法，制备了Sn42Bi52Zn5Cu0．7Y0．3新型低温合金材料。通过显微组织观察、熔化特性与力学性能测试和分析后发现：该新型材料的熔化范围存181.21-190．84℃之间，熔化峰值温度为187．37℃：与常规Sn...
关键词：Sn42Bi52Zn5Cu0.7Y0.3低温合金 超声振动辅助铸造 合金化 金属间化合物 
高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺
《固体电子学研究与进展》2015年第4期388-391,共4页陈韬 蒋浩 陈堂胜 
国家03重大专项资助项目(201403003007)
研究了不同金属体系对GaN HEMT欧姆接触表面形貌、击穿电压的影响。研究了不同合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,通过对金属体系结构的优化改善了欧姆接触特性及形貌。采用Ti/Al/Pd/Au(10/200/40/50nm)金属,在750℃合金温度时...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 低温合金 欧姆接触 
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070)
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 外延层减薄 低温合金 欧姆接触 
InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量：1
《半导体技术》2005年第10期15-18,共4页李潇 张海英 李海鸥 尹军舰 刘亮 陈立强 
国家自然科学基金资助项目(60276021)国家重点基础研究规划资助项目(G2002CB311901)
对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之...
关键词：磷化铟 赝配超晶格高电子辽移率晶体管 低温合金 欧姆接触 
低温合金
《现代材料动态》2004年第9期7-7,共1页杨英惠 
关键词：低温合金 铟 铋 钎料 共晶合金 52In48Sn 58Bi42Sn 80In15Pb5Ag 
论低温合金耐磨防腐喷涂新技术在循环流化床锅炉上应用
《机电信息》2004年第13期49-50,共2页沈晓兰 王林 
就大连金州热电有限公司循环流化床锅炉受热面磨损事故进行了分析,并提出采用低温合金耐磨防腐喷涂新技术来解决这一问题。
关键词：低温合金喷涂 循环流化床锅炉 磨损 受热面 热电厂 
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