魏星

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：微波功率管层结构GAN高电子迁移率晶体管GAN_HEMT器件GAN更多>>
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星载220 GHz分谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第1期24-28,共5页丁成 魏星 施永荣 
国家自然科学基金(62371229)。
为满足星载辐射计系统应用,提出了一款220 GHz次谐波混频器。基于平面GaAs肖特基二极管3D电磁模型,混频器电路和结构优化设计采用HFSS和ADS联合仿真实现。通过在50μm厚的石英基板上倒装反向并联二极管对以及采用纳米银胶将基板粘接在...
关键词：太赫兹 反向并联二极管对 分谐波混频器 肖特基二极管 
帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期466-470,共5页邵国键 林罡 白霖 施尚 周舟 魏星 刘柱 陈韬 
为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 非掺杂帽层 掺杂帽层 直流特性 微波特性 可靠性 
60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期395-400,460,共7页周书同 唐厚鹭 王琪 陈韬 魏星 彭大青 陈堂胜 
基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300...
关键词：GaN功率管 P波段 高功率 高效率 
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
《固体电子学研究与进展》2017年第3期155-158,共4页陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5...
关键词：氮化镓 微波功率管 场板 
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