微波功率管

作品数：27被引量：28H指数：3
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相关期刊：《混合微电子技术》《产经评论》《固体电子学研究与进展》《机械与电子》更多>>
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一种微波功率管电路低空洞率共晶贴片工艺研究
《混合微电子技术》2020年第4期63-67,共5页金龙 周冬莲 车勤 李杰 徐娟 
针对一种微波功率管电路的共晶贴片时AuSi、AuSn摩擦共晶的贴片压力、摩擦圈数、摩擦幅度、贴片overtravel(超程)等工艺参数对贴片效果的影响,进行了实验、检测和分析。结果表明:以上参数对AuSi、AuSn共晶贴片的合格率均有显著影响;在...
关键词：微波功率管 共晶贴片 空洞率 
60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第6期395-400,460,共7页周书同 唐厚鹭 王琪 陈韬 魏星 彭大青 陈堂胜 
基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300...
关键词：GaN功率管 P波段 高功率 高效率 
一种S波段TR组件振荡处理方法
《中国科技信息》2018年第8期64-64,共1页王开伟 崔祺 
功率在放大输出的过程中,通过器件或网络耦合形成的反馈网络造成振荡,对组件输出波形造成伤害,偏离了目标频谱。本文介绍了常用的处理方法。
关键词：振荡现象 组件 S波段 微波功率管 放大过程 目标信号 小信号 稳定性 
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
《固体电子学研究与进展》2017年第3期155-158,共4页陈韬 陈志勇 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5...
关键词：氮化镓 微波功率管 场板 
雷达微波功率管引脚失效仿真分析与优化
《机械与电子》2017年第1期23-26,31,共5页胡子翔 王志海 邓友银 李悰 
针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨胀系数不匹配,以及连接方式不合理是造成引脚失效的主要原因。在不改变器件材料的前提下,提出了将功率管...
关键词：微波功率管 热膨胀系数 失效分析 力学仿真 
P波段超大功率50V GaN HEMT被引量：3
《固体电子学研究与进展》2016年第6期439-441,共3页陈韬 刘柱 王琪 顾黎明 景少红 杨兴 李忠辉 彭大青 陈堂胜 
报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。G...
关键词：氮化镓 微波功率管 场板 
S波段GaN微波功率管脉冲射频加速寿命试验被引量：5
《半导体技术》2016年第5期394-397,共4页任俊华 李用兵 刘晓峰 余若祺 黄雒光 
Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85 GHz、输入功率为40.5 d Bm、脉冲宽度为3 ms、占空比为30%的...
关键词：GaN微波功率管 可靠性 加速寿命试验 平均失效时间(MTTF) S波段 
GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验被引量：4
《固体电子学研究与进展》2015年第3期217-220 252,252,共5页杨洋 徐波 贾东铭 蒋浩 姚实 陈堂胜 钱峰 
分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率管 加速寿命试验 
砷化镓PHEMT功率管高温加速寿命试验研究
《固体电子学研究与进展》2014年第4期371-376,共6页贾东铭 杨洋 林罡 金毓铨 
通过解决温度提升、温度稳定控制、寄生振荡抑制等关键问题,使砷化镓PHEMT功率器件的高温加速寿命试验得以实施。经过2 832h试验,三个分组的样品均出现了失效。对样品的失效模式与机理进行了分析,并确定了失效原因。对试验数据进行分析...
关键词：砷化镓 微波功率管 平均失效前时间 
硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期377-380,共4页钱伟 严德圣 丁晓明 周德红 刘雪 高群 蒋幼泉 
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键...
关键词：硅微波功率管 键合 失效分析 
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