丁晓明

作品数:9被引量:33H指数:3
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发文期刊:《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《现代雷达》更多>>
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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
《现代雷达》2019年第9期76-82,共7页黄乐旭 应贤炜 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并...
关键词:硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管 
硅微波功率管键合失效机理分析被引量:1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期377-380,共4页钱伟 严德圣 丁晓明 周德红 刘雪 高群 蒋幼泉 
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键...
关键词:硅微波功率管 键合 失效分析 
1.2~1.4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量:3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期124-128,共5页刘洪军 王建浩 丁晓明 高群 冯忠 庸安明 严德圣 蒋幼泉 
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下,脉宽150μs,占空比10%,频率1.2~1.4GHz全带内,输出功率可达370W以上,增益达8.7dB,效率大于55%,具有良好的抗失配性能。
关键词:硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管 
千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量:3
《固体电子学研究与进展》2014年第1期F0003-F0003,共1页王佃利 李相光 严德圣 应贤炜 丁晓明 梅海 刘洪军 蒋幼泉 
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题,成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率...
关键词:大功率器件 LDMOS 千瓦级 南京电子器件研究所 器件结构 散热设计 横向结构 场板结构 
1.2~1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管被引量:1
《固体电子学研究与进展》2012年第4期356-360,397,共6页王因生 丁晓明 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2~1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功...
关键词: 微波 功率管 镇流电阻 
微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究被引量:13
《固体电子学研究与进展》2012年第1期54-57,共4页丁晓明 王佃利 李相光 蒋幼泉 王因生 黄静 
介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻...
关键词:瞬态红外热像 脉冲 结温 热阻 
L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验被引量:7
《固体电子学研究与进展》2011年第5期473-477,共5页王因生 陶有迁 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器...
关键词:硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温 
1.46~1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量:6
《Journal of Semiconductors》2008年第5期965-969,共5页王因生 李相光 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46~1.66GHz频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出...
关键词: 微波 功率管 
1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量:1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期139-139,共1页王因生 李相光 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 
关键词:脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波  功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极 
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