千瓦级LDMOS大功率器件研制  

Fabrication of 1 kW Output Power LDMOS Device

作　　者：王佃利[1] 李相光[1] 严德圣[1] 应贤炜[1] 丁晓明[1] 梅海[1] 刘洪军[1] 蒋幼泉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。

关 键 词：大功率器件 LDMOS 千瓦级 南京电子器件研究所 器件结构 散热设计 横向结构 场板结构 

分 类 号：TN949.7[电子电信—信号与信息处理]