1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制  

Development of 1.2- 1.4 GHz 370 W Silicon Bipolar Transistor

作　　者：刘洪军[1] 王建浩[1] 丁晓明[1] 高群[1] 冯忠[1] 庸安明 严德圣[1] 蒋幼泉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2014年第2期124-128,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。By optimizing the design of the chip and process bipolar junction transistor（BJT） has been developed. The result of 42 V supply voltage, 150 μs pulse width and 10% duty cycle pulsed output power over 370 W, the power gain more than 8. higher than 55% on the frequency 1.2~1.4 GHz respectively, a match tolerance performance.

关 键 词：硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]