高群

作品数：5被引量：7H指数：2
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L波段高增益功放模块设计
《固体电子学研究与进展》2015年第4期325-328,共4页杨斌 林川 高群 
设计了一种小型化L波段高效率高增益脉冲功率放大模块,该模块使用微波混合集成电路技术,其体积比同等性能传统L波段功率放大器大大减小。测试结果表明,在工作电压36V、脉宽200μs、占空比10%时,L波段1.2~1.4GHz带宽内模块输出功率能达到...
关键词：小型化 高增益 功放 混合集成 
硅微波功率管键合失效机理分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期377-380,共4页钱伟 严德圣 丁晓明 周德红 刘雪 高群 蒋幼泉 
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键...
关键词：硅微波功率管 键合 失效分析 
1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期124-128,共5页刘洪军 王建浩 丁晓明 高群 冯忠 庸安明 严德圣 蒋幼泉 
通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
关键词：硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管 
S波段小型化高增益集成功放设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第2期141-143,182,共4页林川 杨斌 徐全胜 苑小林 高群 
介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1～3.4GHz全带内功率放大器输出功率能...
关键词：小型化 高增益 混合集成电路 功率放大器 
一种基于Lange耦合器的S波段小型化集成功放被引量：2
《固体电子学研究与进展》2012年第6期565-568,共4页林川 杨斌 苑小林 高群 
设计了一种全部采用国产芯片研制的小型化集成功放模块。该模块采用一种全新的结构模式,通过Lange耦合器将GaAs MMIC单片、单电源GaAs功率芯片和硅功率芯片混合集成,使得其体积比同等性能的功率放大器减小。测试结果表明,在工作电压36V...
关键词：小型化 LANGE耦合器 功放 集成 
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