S波段小型化高增益集成功放设计  

Design of S-band Miniature High Gain Integrated PA

作　　者：林川[1] 杨斌[1] 徐全胜[2] 苑小林[1] 高群[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]中国国防科技信息研究中心,北京100142

出　　处：《固体电子学研究与进展》2013年第2期141-143,182,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1～3.4GHz全带内功率放大器输出功率能达到60W,36V电源效率大于35%,模块尺寸仅为26.5mm×15.0mm×5.0mm。A research of S-band miniature integrated PA is reported by using GaAs and Si power chips. Two power chips are welded in a metal package by internal matching and mix inte- grated circuit. Measured results show the developed device can deliver 60 W output power over a 3.1~3.4 GHz band at 200 tLs pulse width, 10% duty cycle, 36 V operating voltage, with more than 35% drain efficiency. The module＇s size is only 26.5mm×15.0mm×5.0mm.

关 键 词：小型化 高增益 混合集成电路 功率放大器 

分 类 号：TN45[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.75