1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管  

1.44-1.68 GHz 220 W Silicon Microwave Pulsed Power Transistors

作　　者：王因生[1] 李相光[1] 傅义珠[1] 丁晓明[1] 王佃利[1] 盛国兴[1] 康小虎[1] 陶有迁[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第1期139-139,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学] TN722.75