脉冲功率晶体管

作品数：25被引量：16H指数：3
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王因生张树丹康小虎傅义珠李相光更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子工业部中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关期刊：《半导体技术》《半导体信息》《微纳电子技术》《电子器件》更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
《微纳电子技术》2011年第11期697-701,共5页田爱华 潘宏菽 
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于...
关键词：碳化硅(SiC) 硅(Si) 脉冲功率晶体管 内匹配技术 微波 
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量：4
《半导体技术》2009年第5期494-497,共4页黄雒光 董四华 刘英坤 郎秀兰 
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
关键词：硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型 
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
《半导体技术》2008年第6期477-479,共3页邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc...
关键词：硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 
4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2007年第2期285-,共1页赵普社 王因生 李相光 傅义珠 
关键词：微波功率晶体管 器件 输出功率 发射极 脉冲管 
2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2006年第2期F0003-F0003,共1页吴鹏 林川 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 
关键词：硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段 
1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期139-139,共1页王因生 李相光 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 
关键词：脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极 
3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期140-140,共1页傅义珠 李相光 戴学梅 盛国兴 王因生 王佃利 
关键词：硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠 
NPN共基极C类脉冲功率晶体管
《半导体信息》2005年第4期17-18,共2页陈裕权 
M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030 MHz～1090 MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700 Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5 dB;在严...
关键词：脉冲功率 NPN 中频频率 输出功率 航空电子学 最大集 额定工作 空中交通管制 管壳 为高 
2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管被引量：3
《半导体技术》2004年第12期45-47,51,共4页黄雒光 赵丽华 刘英坤 张鸿亮 潘茹 
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词：硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配 
3DA511型脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2004年第4期F003-F003,共1页
3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管，该器件可工作于宽脉宽、大占空比、宽温度范围并且能通过输出VSwR为3：1的射频条件。低热阻和自动压线技术确保了高可靠性和一致性。3DA511采用了气密金属／陶瓷封装和输入输出阻抗内匹配技术。
关键词：3DA511 脉冲功率晶体管 低热阻 L波段 陶瓷封装 大功率晶体管 脉宽 匹配技术 高可靠性 器件 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部