微波脉冲功率晶体管

作品数：6被引量：9H指数：3
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体积小重量轻的SiC微波脉冲功率晶体管
《微纳电子技术》2011年第11期697-701,共5页田爱华 潘宏菽 
采用自主开发的工艺加工技术和设计方法,直接将两个微波SiC MESFET管芯在管壳内部进行并联,实现了器件在S波段脉冲状态下(工作频率2GHz,脉冲宽度30μs,占空比10%)输出功率大于30W、功率增益12dB、功率附加效率大于30%的性能指标。由于...
关键词：碳化硅(SiC) 硅(Si) 脉冲功率晶体管 内匹配技术 微波 
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量：4
《半导体技术》2009年第5期494-497,共4页黄雒光 董四华 刘英坤 郎秀兰 
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
关键词：硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型 
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
《半导体技术》2008年第6期477-479,共3页邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc...
关键词：硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 
1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期139-139,共1页王因生 李相光 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 
关键词：脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极 
2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管被引量：3
《半导体技术》2004年第12期45-47,51,共4页黄雒光 赵丽华 刘英坤 张鸿亮 潘茹 
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词：硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配 
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管被引量：3
《固体电子学研究与进展》2003年第3期373-373,共1页硅微波脉冲功率晶体管攻关组 
关键词：L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度 
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