潘茹

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X射线照相发现的管壳缺陷分析
《半导体技术》2011年第8期643-645,650,共4页程春红 潘茹 
现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测。X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、直观等优点。对一例不常见的X射线...
关键词：可靠性 无损检测 缺陷 X射线 空洞 
1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制被引量：2
《半导体技术》2011年第5期355-358,共4页徐守利 刘英坤 黄雒光 胡顺欣 邓建国 潘茹 
介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 ...
关键词：硅 L波段 微波脉冲 功率晶体管 亚微米 
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
《半导体技术》2008年第6期477-479,共3页邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc...
关键词：硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 
2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管被引量：3
《半导体技术》2004年第12期45-47,51,共4页黄雒光 赵丽华 刘英坤 张鸿亮 潘茹 
研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。
关键词：硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配 
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