马红梅

作品数:6被引量:13H指数:2
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:亚纳秒超宽带超快速MARX电路雪崩三极管更多>>
发文领域:电子电信电气工程更多>>
发文期刊:《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金:国家部委资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
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脉冲压缩开关DBD研究被引量:1
《半导体技术》2011年第8期595-597,608,共4页谭科民 杨勇 崔占东 马红梅 刘忠山 陈洪斌 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目
延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半导体断路开关(sem iconductoropening switches,SOS)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出...
关键词:延迟击穿器件 半导体断路开关 高重复频率超宽带源 延迟击穿 脉冲压缩 
新型亚纳秒切断半导体开关器件研制被引量:3
《半导体技术》2010年第4期337-339,共3页马红梅 刘忠山 杨勇 刘英坤 崔占东 
介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,...
关键词:漂移阶跃恢复器件 等离子体 半导体切断开关 脉冲开关 脉冲发生器 
新型亚纳秒高功率半导体开关器件被引量:2
《半导体技术》2009年第6期557-559,共3页刘忠山 杨勇 马红梅 刘英坤 崔占东 
介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件——快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理。采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件。FID器件采用无感裸芯片...
关键词:快速离化器件 等离子体波 快速离化 漂移阶跃恢复器 亚纳秒 无感裸芯片封装 
超快速高压雪崩三极管器件研制被引量:7
《微纳电子技术》2009年第6期379-382,共4页刘忠山 杨勇 马红梅 刘英坤 崔占东 
采用雪崩三极管MARX电路易产生亚纳秒导通前沿的高功率微波脉冲,可应用于激光LED驱动、超快脉冲前沿发生器和高速脉冲发生器等。介绍了雪崩三极管器件的工作原理及设计方法,采用针对雪崩模式工作的npn晶体管的特殊工艺设计,研制出了耐压...
关键词:雪崩三极管 二次击穿 负阻 MARX电路 超宽带 
特种快速大功率半导体切断开关的研制被引量:2
《半导体技术》2009年第3期244-246,290,共4页杨勇 刘英坤 崔占东 刘忠山 马红梅 陈洪斌 
国家部委基金资助项目
介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果。面积为0.28cm2的开关(59只串联)在300Hz连续工作模式中,切断电流为1.9kA,电流切断时间为9.56ns;在1000Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73kA,电流切断时间为10.86ns;在负载为470Ω...
关键词:半导体切断开关 连续工作模式 猝发工作模式 高压窄脉冲 
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
《半导体技术》2008年第6期477-479,共3页邓建国 刘英坤 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc...
关键词: 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管 
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