康小虎

作品数：13被引量：17H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：硅脉冲功率晶体管硅功率晶体管微波功率晶体管L波段更多>>
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发文期刊：《电子器件》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善被引量：3
《固体电子学研究与进展》2008年第3期383-387,共5页傅义珠 戴学梅 康小虎 盛国兴 叶宗祥 方圆 王因生 王佃利 吴鹏 
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片...
关键词：微波 功率晶体管 结温 热阻 
1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
《Journal of Semiconductors》2008年第5期965-969,共5页王因生 李相光 傅义珠 王佃利 丁晓明 盛国兴 康小虎 
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出...
关键词：硅 微波 功率管 
2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2006年第2期F0003-F0003,共1页吴鹏 林川 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 
关键词：硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段 
1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期139-139,共1页王因生 李相光 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 
关键词：脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极 
2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第1期133-133,共1页傅义珠 李学坤 戴学梅 王佃利 王因生 周德红 康小虎 梅海 盛国兴 陈刚 
关键词：硅脉冲功率晶体管 微波功率晶体管 固体功率器件 
3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2001年第1期118-118,共1页傅义珠 林川 周德红 梅海 潘菁 康小虎 
关键词：功率晶体管 长脉宽 高增益 硅 
S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
《固体电子学研究与进展》2000年第2期123-127,共5页傅义珠 李相光 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ...
关键词：硅 微波功率晶体管 S波段 
P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》1998年第1期15-19,共5页王因生 单宁 王佃利 林川 张树丹 康小虎 林金庭 
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该器件由16个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽500μs，占空比15％，脉冲输出150W，增益大于10dB，集电...
关键词：二次发射极镇流 多晶硅发射极 微波功率晶体管 
L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
《固体电子学研究与进展》1997年第2期114-120,共7页王因生 林川 王佃利 王志楠 张树丹 黄仲平 康小虎 钟志新 
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇...
关键词：微波功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 
S波段硅脉冲功率晶体管
《电子器件》1997年第1期1-5,共5页张树丹 李相光 林川 付义珠 姚长军 康小虎 
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.
关键词：功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 离子注入 
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