硅脉冲功率晶体管

作品数：13被引量：9H指数：2
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4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2007年第2期285-,共1页赵普社 王因生 李相光 傅义珠 
关键词：微波功率晶体管 器件 输出功率 发射极 脉冲管 
2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2006年第2期F0003-F0003,共1页吴鹏 林川 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 
关键词：硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段 
3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第1期140-140,共1页傅义珠 李相光 戴学梅 盛国兴 王因生 王佃利 
关键词：硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠 
WS2224—110硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第2期F003-F003,共1页
关键词：WS2224-110 硅脉冲功率晶体管 最大额定值 气密性 金属陶瓷封装 
2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
《固体电子学研究与进展》2003年第1期133-133,共1页傅义珠 李学坤 戴学梅 王佃利 王因生 周德红 康小虎 梅海 盛国兴 陈刚 
关键词：硅脉冲功率晶体管 微波功率晶体管 固体功率器件 
2GHz 100W硅脉冲功率晶体管
《世界产品与技术》2002年第2期20-21,共2页傅义珠 张树丹 高雷 姚长军 
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15G...
关键词：2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计 
S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
《固体电子学研究与进展》2000年第2期123-127,共5页傅义珠 李相光 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ...
关键词：硅 微波功率晶体管 S波段 
L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
《固体电子学研究与进展》1997年第2期114-120,共7页王因生 林川 王佃利 王志楠 张树丹 黄仲平 康小虎 钟志新 
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇...
关键词：微波功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 
S波段硅脉冲功率晶体管被引量：4
《固体电子学研究与进展》1997年第1期7-14,共8页张树丹 李相光 林川 傅义珠 姚长军 
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。
关键词：功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 离子注入 
S波段硅脉冲功率晶体管
《电子器件》1997年第1期1-5,共5页张树丹 李相光 林川 付义珠 姚长军 康小虎 
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.
关键词：功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 离子注入 
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