3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管  

3. 1-3.4 GHz 120 W Pulsed Silicon Power Transistor

作　　者：傅义珠[1] 李相光[1] 戴学梅[1] 盛国兴[1] 王因生[1] 王佃利[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第1期140-140,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学] TN385