2GHz 100W硅脉冲功率晶体管  

作　　者：傅义珠[1] 张树丹[1] 高雷 姚长军 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《世界产品与技术》2002年第2期20-21,共2页

摘　　要：本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。

关 键 词：2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]