S波段硅脉冲功率晶体管  

S-Band Silicon Puled Power Transistor

作　　者：张树丹[1] 李相光[1] 林川[1] 付义珠[1] 姚长军 康小虎[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《电子器件》1997年第1期1-5,共5页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.This paper presents the experimental results of a silicon pulsed power transistor with self-aligned T-shaped electrode structure. The transistor produces 70 Watts of output power with 8.5dB of gain and 50 % collector efficiency at 2GHz, for short pulse operation.

关 键 词：功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 离子注入 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学] TN322.8