黄仲平

作品数：8被引量：8H指数：1
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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发文期刊：《光电子技术》《电子器件》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第11期861-866,共6页赵宏卫 汪琛 黄仲平 蔡勇 王保平 童林夙 
本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下...
关键词：阴极发射体 环形火山口式 边缘场致发射体 
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
《真空科学与技术》1997年第5期340-344,共5页赵宏卫 汪琛 黄仲平 王保平 童林夙 
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点...
关键词：场致发射阵列 边缘场致发射 多晶硅 平板显示器 
L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
《固体电子学研究与进展》1997年第2期114-120,共7页王因生 林川 王佃利 王志楠 张树丹 黄仲平 康小虎 钟志新 
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇...
关键词：微波功率晶体管 双极晶体管 多晶硅 
硅场发射三极管的研究
《光电子技术》1996年第4期345-348,共4页陈盘敖 陈群霞 黄仲平 
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
关键词：场发射 真空 场发射三极管 VFET 
硅尖阵列场致发射阴极及其二极管制备工艺初探
《光电子技术》1994年第3期204-210,共7页王保平 黄仲平 蔡勇 
随着大规模集成电路技术的发展,采用化学腐蚀的方法制备硅尖阵列及其二极管在真空微电子学中已被广泛采纳和应用。本文简要叙述了在各向同性腐蚀和各向异性腐蚀下硅尖形成的基本理论,讨论了硅尖形成的常用方法及其相关技术,扼要地介绍...
关键词：二极管 场致发射阴极 硅 
真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究被引量：1
《电子器件》1994年第3期61-65,共5页黄仲平 蔡勇 张树丹 王因生 谭卫东 王保平 
本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。
关键词：真空微电子学 湿法腐蚀 场发射极阵列 锐化 
硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究被引量：1
《电子器件》1994年第3期55-60,共6页王保平 童林夙 赵琴 黄仲平 蔡勇 
本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收...
关键词：各向异性腐蚀 场致发射 二极管 氧化锐化 
一种InSb薄膜型霍尔器件
《光电子技术》1991年第3期53-54,共2页黄仲平 丁辉敏 
霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、
关键词：霍尔器件 薄膜型 INSB 
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