汪琛

作品数：11被引量：8H指数：2
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发文主题：有限差分法CAD静电场电子光学系统电场强度更多>>
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新型T形边缘场致发射器件的静电分析
《应用科学学报》1998年第3期313-319,共7页汪琛 赵宏卫 尹涵春 王保平 童林夙 
对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中...
关键词：静电分析 边缘场致发射体 T形 平板显示器 
彩显管用电子枪系统的设计考虑
《真空电子技术》1998年第2期18-20,共3页汪琛 童林夙 
本文讨论了影响彩管电子枪分辨率的主要因素，分析了高分辨率电子枪设计思路，并对历年来各大ＣＲＴ公司及相关研究机构开发的主要类型的电子枪作了介绍。
关键词：彩色显像管 电子枪 高分辨率 
边缘场致发射体的非正交有限差分算法模拟
《真空科学与技术》1997年第5期321-325,共5页汪琛 赵宏卫 王保平 童林夙 
对边缘切致发射三极管进行了模拟，采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下的有限差分算法。由于取的坐标轴与边界重合。所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体。给出了电...
关键词：真空微电子学 场致发射 有限差分法 CAD 
掺砷多晶硅边缘场发射阴极阵列的特性研究
《真空科学与技术》1997年第5期340-344,共5页赵宏卫 汪琛 黄仲平 王保平 童林夙 
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺砷、外层较掺砷的多晶硅薄膜；利用氢氟酸／硝酸／冰醋酸腐蚀液对不同掺砷浓度多晶硅选择性腐蚀的特点...
关键词：场致发射阵列 边缘场致发射 多晶硅 平板显示器 
微尖场致发射三极管的FDM-NOCCS算法模拟
《Journal of Semiconductors》1997年第8期621-625,共5页汪琛 尹涵春 王保平 童林夙 
本文将非正交曲线坐标系下的有限差分算法和四阶龙格-库塔法结合起来研究了微尖场致发射三极管的静电特性．计算模型中的阴极为塔形（Tower）结构．本文给出了尖端场强与几何结构的关系曲线、电子轨迹图以及阳极电流密度分布．
关键词：微尖场 场发射三极管 FDM-NOCCS 模拟 
静电场中电子轨迹的三维计算机模拟
《电子学报》1997年第6期62-65,共4页汪琛 尹涵春 童林夙 
本文讨论了静电场中电子轨迹的三维计算机模拟．给出了相应的计算公式．文中还对几种轨迹存在解析解的三维静电结构进行了计算．结果表明，本文所述方法精度较高，能满足电子光学ＣＡＤ的实际需要，是数值求解非轴对称静电结构下电子轨...
关键词：静电场 电子轨迹 计算机辅助设计 
计算二维静电场的非正交有限差分算法被引量：2
《计算物理》1997年第3期305-310,共6页汪琛 王保平 童林夙 
讨论了计算二维静电场的非正交有限差分算法，给出了数值计算公式。通过对一些实例的计算以及与理论解的比较，结果表明非正交有限差分算法具有数值网格与边界吻合的特点，只要较少的离散网格就可以达到较高的精度。
关键词：非正交 曲线坐标系 有限差分法 二维 静电场 
电场强度的三维数值计算方法的研究被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》1996年第3期24-28,共5页汪琛 尹涵春 赵宏卫 童林夙 
讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的数值计算问题，提出了两种三维数值计算方法；并用所编制的程序计算了特定电场分布下的电场强度．结果表明，这两种方法的精度较高，能满足实际应用的需求．
关键词：电场强度 CAD 数值计算 电子光学系统 
电场强度的三维数值计算
《真空电子技术》1996年第2期34-38,共5页汪琛 尹涵春 童林夙 
本文讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的三维数值计算问题，给出了一套数值计算公式；同时编程计算了特定电位分布下的电场强度。结果表明，此方法的精度较高，符合实际需求。
关键词：电场强度 插值 精度 数值计算 CAD 
提高偏转线圈灵敏度的一种新设想
《电子器件》1996年第1期25-33,共9页汪琛 童林夙 
本文提出了一种提高偏转圈灵敏度的新设想，分别利用有限差分法和龙格—库塔方法得出了场分布和电子轨迹．最后对此设想的可行性进行了分析。
关键词：显象管 偏转线圈 灵敏度 
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