一种InSb薄膜型霍尔器件  

An InSb Thin Film Hall Device

作　　者：黄仲平[1] 丁辉敏 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《光电子技术》1991年第3期53-54,共2页Optoelectronic Technology

摘　　要：霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、

关 键 词：霍尔器件 薄膜型 INSB 

分 类 号：TN382[电子电信—物理电子学]