真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究  

Study of Fabricating Silicon-tip Field Emission Array Used in Micravacuum Devices

作　　者：黄仲平[1] 蔡勇[1] 张树丹[1] 王因生[1] 谭卫东[1] 王保平[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,东南大学电子工程系

出　　处：《电子器件》1994年第3期61-65,共5页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果，并对其结果进行了讨论，同时还给出了测得的Ｆ—Ｎ和Ｖ—Ｉ特性曲线。This paper describes the process of fabricating silicon-tip field emission array by using wet etching method and the experimental results,Then,the experimental results arediscussed.Last,Fowler-Nordheim and Current-Voltage characteristics of a 2500 silicon -tip field emission array are also given.

关 键 词：真空微电子学 湿法腐蚀 场发射极阵列 锐化 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学] TN405