3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管  

A 3．1～3．4 GHz Silicon Power Transistor with High Gain and Long Pulsed

作　　者：傅义珠[1] 林川[1] 周德红[1] 梅海[1] 潘菁[1] 康小虎[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2001年第1期118-118,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：功率晶体管 长脉宽 高增益 硅 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]