潘昆

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：MBE生长砷化镓GAAS测试方IC更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
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GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1996年第3期227-230,共4页牛智川 周增圻 林耀望 周帆 潘昆 张子莹 祝亚芹 王守武 
本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的...
关键词：砷化镓 脊形量子线结构 MBE生长 
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