云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 张静媛

张静媛: 作品数：19被引量：26H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：DFB激光器INGAASP/INP分布反馈激光器激光器增益耦合更多>>; 发文领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《光学学报》《高技术通讯》《中国激光》《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>

10Gbit/s高T_0无制冷分布反馈激光器被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1616-1618,共3页赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312150)~~; 与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了...; 关键词：分布反馈激光器单纵模激光器增益耦合

Wavelength Tuning in Two-Section Distributed Bragg Reflector Laser by Selective Intermixing of InGaAsP-InGaAsP Quantum Well Structure: 《Journal of Semiconductors》2003年第9期903-906,共4页陆羽张靖王圩朱洪亮周帆王保军张静媛赵玲娟; 国家重点基础研究发展规划资助项目~~; The two-section tunable ridge waveguide distribu ted Bragg reflector (DBR) laser fabricated by the selective intermixing of an InGaAsP-InGaAsP quantum well structure is presented.The threshold current of the laser is ...; 关键词：tunable laser DBR laser quantum well intermixing MOCVD

Tunable Distributed Bragg Reflector Laser Fabricated by Bundle Integrated Guide被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第2期113-116,共4页陆羽王圩朱洪亮周帆王宝军张静媛赵玲娟; 国家重点基础研究发展规划资助项目~~; The tunable BIG RW distributed Bragg reflector lasers with two different coupling coefficient gratings are proposed and fabricated.The threshold current of the laser is 38mA and the output power is more than 8mW.The ...; 关键词：tunable laser DBR laser BIG semiconductor laser

Spotsize Converter Integrated DFB Laser Diode Using Selective Area Growth of MOCVD: 《Journal of Semiconductors》2002年第5期459-463,共5页邱伟彬王圩董杰张静媛周帆; The characteristics of thickness enhancement fact or and bandgap wavelength of selectively grown InGaAsP are investigated.A high thi ckness enhancement factor of 2.9 is obtained.Spotsize converter integrated DFB las...; 关键词：SAG butt-joint spotsize converter DFB

1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器被引量：2: 《高技术通讯》2002年第2期51-53,57,共4页张静媛刘国利朱洪亮周帆孙洋汪孝杰王圩; 国家自然科学基金 ( 698962 60 )资助项目; 采用一种自对准压缩台面结构制作高速 1.5 5 μmDFB激光器。激光器的典型阈值为 12mA ,单面斜率效率达 0 .15 7mW /mA ,出光功率大于 2 0mW。由于采用窄条p InP作为电流阻挡层 ,因此激光器的寄生电容可降至 2 .5 pF ,- 3dB调制带宽可达 9.; 关键词：自对准压缩台面结构 DFB激光器高速激光器多量子阱局域网

单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量：7: 《中国激光》2001年第12期1057-1060,共4页刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮; 863"高技术计划(编号:30 7 11 1(15));国家自然科学重大基金(编号:6 9896 2 6 0 )资助项目; 报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用...; 关键词：DFB激光器电吸收调制器热调谐相调谐

Strongly Gain Coupled DFB Laser Monolithically Integrated with a Self Alignment Spot Size Converter被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2001年第7期832-836,共5页刘国利王圩朱洪亮张静媛周帆汪孝杰胡小华; 国家"八六三"高技术计划 (No.863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金资助项目 (No.698962 60 ); A new type strongly gain coupled (GC) DFB laser and a new type self alignment spot size converter (SA SSC) are proposed and successfully fabricated.The strongly GC DFB laser is monolithically integrated with the ...; 关键词：strongly gain coupled DFB laser spot size converter monolithic integration

选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2001年第5期609-612,共4页刘国利王圩张佰君许国阳陈娓兮叶小玲张静媛汪孝杰朱洪亮; 国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金!(批准号 :698962 60 )&&; 采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发...; 关键词：选择区域生长 INGAASP 多量子阱材料半导体材料

低波长漂移的电吸收调制DFB激光器被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2001年第5期636-640,共5页刘国利王圩汪孝杰张佰君陈娓兮张静媛朱洪亮; 国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金! (批准号 :698962 60 )&&; 采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的...; 关键词：DFB激光器电吸收调制器低波长漂移

选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量：1: 《中国激光》2001年第4期321-324,共4页刘国利王圩许国阳陈娓兮张佰君周帆张静媛汪孝杰朱洪亮; 86 3高技术计划! (项目编号 :30 7 11 1(15 ) );国家自然科学基金! (批准号 :6 9896 2 6 0 )资助项目; 报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ...; 关键词：选区外延 LP-MOVPE DFB激光器电吸收调制器脊型波导单片集成电路

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