选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料  

High Quality InGaAsP MQW by Selective Area Growth

作　　者：刘国利[1] 王圩[1] 张佰君[1] 许国阳[1] 陈娓兮[1] 叶小玲[2] 张静媛[1] 汪孝杰[1] 朱洪亮[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第5期609-612,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金!(批准号 :698962 60 )&&

摘　　要：采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .The high quality 755nm wide wavelength range InGaAsP MQW,which is grown on SiO_2 masked InP substrate by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE)is reported.By changing the growth temperature and growth pressure,peaks of MQW PL spectra vary from 1546nm to 1621nm.MQWs grown at different temperatures have the similar PL intensity and FWHM.A single ridge waveguide electroabsorption modulated DFB laser (DFB EML) is also fabricated with high quality MQW materials.

关 键 词：选择区域生长 INGAASP 多量子阱材料 半导体材料 

分 类 号：TN244[电子电信—物理电子学]