许国阳

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：DFB激光器电吸收调制器脊型波导单片集成电路单片集成更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《中国激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第5期609-612,共4页刘国利 王圩 张佰君 许国阳 陈娓兮 叶小玲 张静媛 汪孝杰 朱洪亮 
国家"863"高技术计划项目! (项目编号 :863 -3 0 7-11-1(15 ) );国家自然科学基金!(批准号 :698962 60 )&&
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发...
关键词：选择区域生长 INGAASP 多量子阱材料 半导体材料 
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量：1
《中国激光》2001年第4期321-324,共4页刘国利 王圩 许国阳 陈娓兮 张佰君 周帆 张静媛 汪孝杰 朱洪亮 
86 3高技术计划! (项目编号 :30 7 11 1(15 ) );国家自然科学基金! (批准号 :6 9896 2 6 0 )资助项目
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ...
关键词：选区外延 LP-MOVPE DFB激光器 电吸收调制器 脊型波导 单片集成电路 
半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第2期188-191,共4页许国阳 颜学进 朱洪亮 段俐宏 周帆 田慧良 白云霞 王圩 
国家"863"高技术计划资助
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ...
关键词：激光器 优化生长 磷化铟 
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