半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器  

Fe Doped Semi-Insulating InP Buried 1.55μm MQW InGaAsP Laser Diode

作　　者：许国阳[1] 颜学进[1] 朱洪亮[1] 段俐宏[1] 周帆[1] 田慧良[1] 白云霞[1] 王圩[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺研究中心,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第2期188-191,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家"863"高技术计划资助

摘　　要：研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ 多量子阱激光器，激光器的高频调制特性明显优于反向ｐｎ 结掩埋的激光器，３ｄＢ 调制带宽达４．８ＧＨｚ．Fe doped semi\|insulating InP was grown by LP\|MOCVD under different conditions. An optimized growth condition has been obtained after comparing the resistivity of Fe doped semi\|insulating InP of different growth condition. Fe doped semi\|insulating InP with resistivity 2 0×10 8Ω·cm and breakdown field strength 4×10 4V/cm was obtained. The 3dB bandwidth of 1 55μm InGaAsP MQW laser diode buried by Fe doped semi\|insulating InP, was measured to be 4 8GHz.

关 键 词：激光器 优化生长 磷化铟 

分 类 号：TN241[电子电信—物理电子学]