叶小玲

作品数：15被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：量子点砷化镓量子点激光器GAASINAS/GAAS量子点更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《光子学报》《光谱学与光谱分析》《物理学报》《北京师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
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单模带间级联激光器(特邀)
《光子学报》2023年第10期30-49,共20页刘舒曼 张锦川 叶小玲 刘俊岐 王利军 卓宁 翟慎强 李远 刘峰奇 
国家自然科学基金(No.62235016);北京市科技计划(No.Z221100002722018);中国科学院战略性先导专项(No.XDB43000000)。
基于锑化物的带间级联激光器同时具有带间跃迁的高增益和级联结构的高量子效率,是中红外波段重要的相干光源,其功耗低于其它中红外半导体激光器,因而单模带间级联激光器在基于激光吸收光谱技术的高分辨气体检测和化学传感等领域具有很...
关键词：中红外 单模 带间级联激光器 分布反馈 面发射激光器 
有效折射率微扰法研究单缺陷光子晶体平板微腔的性质
《物理学报》2012年第5期152-159,共8页周文飞 叶小玲 徐波 张世著 王占国 
国家自然科学基金(批准号:60990315,60625402,61161130527)资助的课题~~
应用有效折射率微扰法结合二维/三维平面波方法研究了施主和受主缺陷型H1微腔的性质,使用修正后的有效折射率可以准确地计算微腔的腔模频率,与三维全矢量时域有限差分法的计算结果很相近.对于施主型H1微腔,以介质带边为匹配标准修正的...
关键词：光子晶体平板 H1微腔 有效折射率 腔模频率 
单片集成锁模量子点激光器
《微纳电子技术》2010年第7期385-393,共9页姜立稳 叶小玲 王占国 
国家自然科学基金资助项目(60990315;60625402);国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB604904)
首先简要回顾了超短脉冲激光器(LD)的发展史,以及以半导体量子点为有源区的锁模量子点LD的提出及其潜在的、重要应用前景。随后介绍了锁模量子点LD的工作原理、各种锁模方式及其器件结构,进而讨论了量子点作为锁模LD有源区材料所具有的...
关键词：量子点 锁模 超短激光脉冲 量子点激光器 可饱和吸收体 
二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析被引量：1
《物理学报》2010年第10期7073-7077,共5页彭银生 叶小玲 徐波 牛洁斌 贾锐 王占国 梁松 杨晓红 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604904;2006CB604908);国家自然科学基金(批准号:60676029;60990315;60625402)资助的课题~~
研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137nm,谱线半高宽度约为1nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表...
关键词：光子晶体微腔 GAAS 量子点 谐振模式 
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
《光谱学与光谱分析》2007年第11期2178-2181,共4页贾国治 姚江宏 张春玲 舒强 刘如彬 叶小玲 王占国 
国家自然科学基金项目(60476042);天津市应用基础研究计划重点项目(06YFJZJC01100);长江学者创新团队发展计划资助
采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于...
关键词：光致发光谱 量子点 双模分布 态填充 
Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
《物理学报》2007年第8期4930-4935,共6页胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 
国家自然科学基金(批准号:90201007;60625402;60390074);国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604908)资助的课题.~~
用高能离子注入(160keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,...
关键词：离子注入 INAS/GAAS量子点 光致发光 团簇 
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期84-87,共4页胡良均 陈涌海 叶小玲 王占国 
国家自然科学基金资助项目(批准号;90201007,60390074)
用离子注入法对InAs/GaAs量子点掺杂Mn离子,量子点样品经过快速退火处理后同时具有低温铁磁性和发光性能.注Mn量子点发光峰在退火后蓝移,在较高注入剂量的样品中这种由于互扩散带来的蓝移受到抑制,认为这与样品中的缺陷以及Mn聚集在量...
关键词：INAS/GAAS量子点 光致发光 团簇 铁磁性 
GaAs基上的InAs量子环制备
《固体电子学研究与进展》2006年第4期432-435,共4页李凯 叶小玲 金鹏 王占国 
国家重点基础研究专项经费(No.G2000068303);国家自然科学基金(No.90301007;90101004;60290084);国家高技术研究与发展项目(No.2002AA311170)
在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散...
关键词：砷化铟量子环 分子束外延 砷化铟量子点 覆盖 
InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期184-188,共5页钱家骏 叶小玲 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068303),国家自然科学基金(批准号:60076024和90101002)和中国科学院"纳米科学与技术"(批准号:KJCX1-06-06)资助项目
利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射...
关键词：应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 MBE生长 
应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期51-55,共5页钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国 
采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光...
关键词：应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长 
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