GaAs基上的InAs量子环制备  

Formation of InAs Quantum Rings on GaAs Substrate

作　　者：李凯[1] 叶小玲[1] 金鹏[1] 王占国[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《固体电子学研究与进展》2006年第4期432-435,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究专项经费(No.G2000068303);国家自然科学基金(No.90301007;90101004;60290084);国家高技术研究与发展项目(No.2002AA311170)

摘　　要：在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成。Nano-sized InAs quantum rings were fabricated on GaAs substrate by molecular beam epitaxy by partly capping the InAs self-resembled quantum dots （SAQDs） with 3 nm GaAs thin cap and annealing for 1 minute at 500℃ in As2 atmosphere. The formation of quantum rings sensitively depends on the annealing temperature and As pressure together with the initial sizes of the InAs SAQDs. The redistribution of InAs on the GaAs surface, together with the simultaneous In-Ga alloying controls the formation of quantum rings.

关 键 词：砷化铟量子环 分子束外延 砷化铟量子点 覆盖 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]