电致发光谱

作品数：17被引量：83H指数：4
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相关作者：王占国陈志忠童玉珍林亮张国义更多>>
相关机构：北京大学中国科学院中国工程物理研究院海洋王照明科技股份有限公司更多>>
相关期刊：《功能材料》《光源与照明》《量子电子学报》《光谱学与光谱分析》更多>>
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氮化镓电致发光谱及原位温度近场同测研究
《中国激光》2024年第17期213-219,共7页康晓雪 陈娜 李韶颖 刘真民 刘书朋 商娅娜 黄伟 卢红亮 王廷云 
国家自然科学基金(62027818);高等学校学科创新引智计划(D20031)。
温度及电致发光谱检测对于氮化镓(GaN)器件的可靠性表征至关重要。利用音叉原子力反馈和量子点修饰的光纤探针,对GaN材料微纳米区域的电致发光谱和原位温度进行近场同测研究。在音叉原子力反馈控制下,量子点光纤探针趋近GaN样品表面。...
关键词：量子点光纤探针 氮化镓 近场测温 电致发光谱 原位检测 
高温导致三结太阳电池电致发光谱变化被引量：5
《激光与光电子学进展》2014年第12期188-192,共5页任攀 吴凌远 王伟平 刘国栋 
中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室基金(HEL2013-06);中国工程物理研究院流体物理研究所发展基金(SFZ20120303)
高温下半导体材料性能会发生变化,影响太阳电池光电转换效率。为了了解Ga In P/Ga As/Ge三结太阳电池在聚光和高温条件下的工作性质,研究了热加载后的三结太阳电池样品在定压下的电致发光谱,发现受热后Ga In P顶电池和Ga As中电池的电...
关键词：光电子学 太阳电池 热损伤 电致发光 量子效率 
InGaN／GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性被引量：1
《光谱学与光谱分析》2014年第2期327-330,共4页代爽 于彤军 李兴斌 袁刚成 路慧敏 
国家重点基金研究项目(2011CB301900,2013CB328705);国家高科技研究发展计划项目(2011AA03A103);国家自然科学基金项目(61076012,61076013,61204054,61275052)资助
系统地研究了小注入电流(<4mA)下InGaN/GaN多量子阱结构蓝光发光二极管的发光光谱特性在老化过程中的变化。对比老化前后的电致发光(EL)光谱,发现在注入电流1mA下的峰值波长(peak wavelength)和半高宽(FWHM)随老化时间增加而减小,变化...
关键词：INGAN GaN多量子阱蓝光发光二极管 老化 电致发光谱 极化电场 
Ag纳米颗粒对富Ag二氧化硅薄膜电致发光谱的影响
《光谱学与光谱分析》2011年第9期2324-2327,共4页冉广照 文杰 尤力平 徐万劲 
国家自然科学基金项目(10874011,60877022);国家(973计划)项目(2007CB613401)资助
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag),制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si,观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度,还明显地移动电致发光的峰位。Ag...
关键词：电致发光 AG纳米颗粒 局域表面等离激元 
浅谈功率型发光二极管结温的测定被引量：1
《光源与照明》2011年第1期9-11,共3页李为军 
结温作为衡量一个发光二极管(LED)器件性能优劣的重要参数,是发光二极管(LED)器件工程应用中可靠性测量的核心要素,也是LED检测产品中的主要考察对象。因此,该参数的精确测量是器件热处理过程中的关键。文中总结了目前已报道过的几种测...
关键词：发光二极管(LED) 结温 正向电压法 电致发光谱 
影响AlInGaP LED光致发光与电致发光谱的决定性因素被引量：11
《光电子．激光》2010年第5期659-663,共5页文静 文玉梅 李平 李恋 朱永 
国家自然科学基金资助项目(60676031);重庆市自然科学基金资助项目(CSTC;2008BB3156);中国博士后科学基金资助项目
对AlInGaP红色发光二极管(LED)芯片的发光特性进行了测试分析,在注入强度相等的条件下,EL与PL形状相似,但存在差异,对其光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了测试分析,研究结果表明,EL与PL有着相同的产生机理,影响其发光谱的因素完全相...
关键词：发光二极管(LED) 光致发光(PL) 电致发光(EL) 光谱 pn结温度 
硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究被引量：1
《物理学报》2008年第12期7860-7864,共5页熊传兵 江风益 王立 方文卿 莫春兰 
国家高技术研究发展计划(批准号:2005AA311010;2003AA302160);信息产业部电子发展基金(批准号:2004125;2004479)资助的课题~~
测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光(EL)谱.指出硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管的EL谱中多个峰型来源于干涉现象,而不是来自于多个阱层的发光.干涉峰的疏密反映p型层厚度的一致性,干涉现象的强弱反映p型欧...
关键词：InGaAlN 发光二极管 垂直结构 电致发光 
C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析被引量：1
《功能材料》2008年第1期145-147,共3页张国恒 马书懿 陈彦 张汉谋 徐小丽 魏晋军 孙小菁 
国家自然科学基金资助项目(60276015);教育部科学技术研究资助项目(204139);甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大。利用位形坐标模型对C镶嵌...
关键词：磁控溅射 纳米碳粒 电致发光 位形坐标 
InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1121-1124,共4页陈志忠 徐科 秦志新 于彤军 童玉珍 宋金德 林亮 刘鹏 齐胜利 张国义 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60406007)~~
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,...
关键词：氮化镓 发光二极管 多量子阱 透射电子显微镜 电致发光谱 阴极荧光谱 
GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究被引量：3
《物理学报》2007年第9期5531-5535,共5页顾晓玲 郭霞 梁庭 林巧明 郭晶 吴迪 徐丽华 沈光地 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604902);国家自然科学基金(批准号:60506012);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)资助的课题.~~
通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值...
关键词：极化 载流子不均匀分布 双波长 
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