齐胜利

作品数：4被引量：6H指数：2
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：氮化镓发光二极管激光划片INGAN/GAN多量子阱电致发光谱更多>>
发文领域：电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期216-218,共3页齐胜利 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛 
国家自然科学基金(60676032;60406007;60607003;60577030;60876063;60476028);国家"973"重点基础研究项目(TG2007CB307004;2006CB921607)
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB...
关键词：氮化镓 多量子阱 发光二极管 铝镓氮/氮化镓 多量子势垒 外量子效率 
激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析被引量：2
《半导体技术》2008年第S1期219-223,共5页孙永健 陈志忠 齐胜利 于彤军 康香宁 刘鹏 张国义 朱广敏 潘尧波 陈诚 李仕涛 颜建峰 郝茂盛 
国家自然科学基金(60676032;60406007;60607003;60577030);国家"973"重点基础研究项目(TG2007CB307004)
制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联电阻下降了近两个数量级。通过对变温...
关键词：氮化镓 发光二极管 激光剥离 漏电流 
ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
《半导体技术》2008年第S1期143-146,共4页邓俊静 齐胜利 陈志忠 田朋飞 郝茂盛 张国义 
采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2...
关键词：感应耦合等离子体 氮空位 蓝带 
InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1121-1124,共4页陈志忠 徐科 秦志新 于彤军 童玉珍 宋金德 林亮 刘鹏 齐胜利 张国义 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60406007)~~
研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,...
关键词：氮化镓 发光二极管 多量子阱 透射电子显微镜 电致发光谱 阴极荧光谱 
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